NSBC114EPDXV6T1 全國供應商、價格、PDF資料

NSBC114EPDXV6T1詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

NSBC114EPDXV6T1詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：剪切帶 (CT)

NSBC114EPDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：Digi-Reel®

NSBC114EPDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

NSBC114EPDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：剪切帶 (CT)

• NCP03YS220J05RL

  熱敏電阻 - NTC    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    THERMISTOR 22 OHM NTC 0201 SMD

• MIC94095YC6 TR

  PMIC - 電源分配開關    Micrel Inc    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    IC LOAD SW HGH SIDE 1.2A SC70-6

• P51-2000-S-S-M12-4.5V-000-000

  壓力    SSI Technologies Inc    不銹鋼    SENSOR 2000PSI 1/4-18NPT .5-4.5V

• NSBC114EPDXV6T1

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式    ON Semiconductor    SOT-563，SOT-666    TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

• MLZ2012N100L

  固定式    TDK Corporation    0805（2012 公制）    INDUCTOR MULTILAYER 10UH 0805

• NX4025DA-16.000000MHZ-B5

  晶體    NDK    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    CRYSTAL 16MHZ 7.2PF SMD

• NDTS0503C

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    24-DIP 模塊（600 mil，8 引線）    CONV DC/DC 3W 5VIN 3.3VOUT DIP24

• NTCS0805E3472GMT

  熱敏電阻 - NTC    Vishay BC Components    0805（2012 公制）    THERMISTOR NTC 4.7K OHM SMD 0805

• NCP03YS470J05RL

  熱敏電阻 - NTC    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    THERMISTOR 47 OHM NTC 0201 SMD

• P51-2000-S-S-MD-4.5OVP-000-000

  壓力    SSI Technologies Inc    不銹鋼    SENSOR 2000PSI 1/4-18NPT .5-4.5V

• MLZ2012N6R8L

  固定式    TDK Corporation    0805（2012 公制）    INDUCTOR MULTILAYER 6.8UH 0805

• NX4025DA-16.000000MHZ-B5

  晶體    NDK    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    CRYSTAL 16MHZ 7.2PF SMD

• NDTS0512C

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    24-DIP 模塊（600 mil，8 引線）    CONV DC/DC 3W 5VIN 12VOUT DIP24

• NTCS0805E3683FXT

  熱敏電阻 - NTC    Vishay BC Components    0805（2012 公制）    THERMISTOR NTC 68K OHM SMD 0805

• NCP03YS680J05RL

  熱敏電阻 - NTC    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    THERMISTOR 68 OHM NTC 0201 SMD