NSBC114YPDXV6T1 全國供應商、價格、PDF資料

NSBC114YPDXV6T1詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：剪切帶 (CT)

NSBC114YPDXV6T1詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

NSBC114YPDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：剪切帶 (CT)

NSBC114YPDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：Digi-Reel®

NSBC114YPDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

• NCV2951ACDR2G

  PMIC - 穩壓器 - 線性    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG LDO 5V/ADJ .1A 8SOIC

• MM5829-2700RK0

  同軸，RF    Murata Electronics North America    44-LCC（J 形引線）    CONN MW COAXIAL 12GHZ SMD

• NSBC114YPDXV6T1G

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式    ON Semiconductor    SOT-563，SOT-666    TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

• NCP1379DR2G

  PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC CTLR QUASI CURRENT MODE 8SOIC

• NBVSBA037LNHTAG

  時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器    ON Semiconductor    6-CLCC    IC VCXO LVPECL 707.3527MHZ 6CLCC

• N3372-6003RB

  矩形- 接頭，公引腳    3M        60/HDR/STR/HT/.155

• NTB27N06LT4

  FET - 單    ON Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3

• HVR2500002103FR500

  通孔電阻器    Vishay BC Components    軸向    RES 210K OHM METAL FILM .25W 1%

• NCV301LSN45T1G

  PMIC - 監控器    ON Semiconductor    6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）5 引線    IC VOLT DETECTOR 4.5V TSOP-5

• MM5Z10VT1G

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    SC-79，SOD-523    DIODE ZENER 10V 200MW SOD-523

• N3372-6502

  矩形- 接頭，公引腳    3M        CONN HEADER 60PS STR SHORT LA

• NBVSPA015LN1TAG

  時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器    ON Semiconductor    6-CLCC    IC VCXO LVDS 200MHZ 6CLCC

• NTB30N06G

  FET - 單    ON Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

• HVR2500002203FR500

  通孔電阻器    Vishay BC Components    軸向    RES 220K OHM METAL FILM .25W 1%

• NCP1380CDR2G

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG CTRLR FLYBK ISO PWM 8SOIC