NSBC124EPDXV6T1 全國供應商、價格、PDF資料

NSBC124EPDXV6T1詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

NSBC124EPDXV6T1詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：剪切帶 (CT)

NSBC124EPDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：Digi-Reel®

NSBC124EPDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

NSBC124EPDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：SOT-563

包裝：剪切帶 (CT)

• NOJB226M010RWB

  氧化鈮    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210

• P1168.683NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCTOR PWR SHIELD 68UH SMD

• NSBC123JF3T5G

  晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式    ON Semiconductor    SOT-1123    TRANS NPN W/RES 50V SOT1123

• NOJD477M002RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    2917（7343 公制）    CAP NIOB OXIDE 470UF 2.5V 2917

• MGA-665P8-BLK

  RF 放大器    Avago Technologies US Inc.    8-WFDFN 裸露焊盤    IC AMP MMIC LNA GAAS 3V 8-LPCC

• MIC2185YQS

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Micrel Inc    16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG CTRLR BST PWM CM 16-QSOP

• NP50P04SDG-E1-AY

  FET - 單    Renesas Electronics America    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET P-CH -40V -50A TO-252

• HMK432B7225KM-T

  陶瓷    Taiyo Yuden    1812（4532 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812

• NOJB226M010RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210

• NOJF157M006RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    2312（6032 公制）    CAP NIOB OXIDE 150UF 6.3V 2312

• MGA-68563-TR1G

  RF 放大器    Avago Technologies US Inc.    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    IC AMP LNA MMIC GAAS SMD SOT-363

• NP52N06SLG-E1-AY

  FET - 單    Renesas Electronics America    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 60V 52A TO252

• MIC2198YML TR

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Micrel Inc    12-VFDFN 裸焊盤，12-MLF?    IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF

• HMK432B7225KM-T

  陶瓷    Taiyo Yuden    1812（4532 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812

• NOJC107M002SWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    2312（6032 公制）    CAP NIOB OXIDE 100UF 2.5V 2312