NTB30N06的供應信息|PDF資料|求購NTB30N06上51電子網

NTB30N06G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：88.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

NTB30N06L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 15A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1150pF @ 25V; 功率_最大：88.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

NTB30N06LG詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 15A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1150pF @ 25V; 功率_最大：88.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

NTB30N06LT4詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 15A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1150pF @ 25V; 功率_最大：88.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

NTB30N06LT4G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 15A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1150pF @ 25V; 功率_最大：88.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

NTB30N06T4詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：88.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

PM0805-2N2M
固定式 Bourns Inc. 0805（2012 公制） INDUCTOR CHIP 2.2NH 20% SMT
PMR4RDW11.0-CC
面板指示器，指示燈 Bivar Inc 0805（2012 公制） LED RECT RED PNL MNT W/ CONN
NTB0102GF,115
邏輯 - 變換器 NXP Semiconductors 8-XFDFN TXRX TRANSLATING DUAL 3ST 8XSON
PHT4NQ10T,135
FET - 單 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
NKN5WSFR-73-1R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES NON-INDUCT WW 1.0 OHM 5W 1%
PLTT0805Z5830AGT5
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805（2012 公制） RES 583 OHM 5PPM .05% 0805
Q-150K-3/32-01-QB48IN-25
熱縮管 Qualtek 0805（2012 公制） HEATSHRINK PVDF 3/32" X 4’ BLK
PIC16F724-I/MV
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 40-UFQFN 裸露焊盤 MCU 7KB FLASH PROGRAM 40-UQFN
PM0805-82NK
固定式 Bourns Inc. 0805（2012 公制） INDUCTOR CHIP .082UH 10% SMT
PHT4NQ10T,135
FET - 單 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
NKN5WSFR-73-1R4
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES NON-INDUCT WW 1.4 OHM 5W 1%
PLTT0805Z5831AGT5
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805（2012 公制） RES 5.83K OHM 5PPM .05% 0805
PM0805G-180J
固定式 Bourns Inc. 0805（2012 公制） INDUCTOR CHIP 18UH 5% 0805 SMD
PIC16F726-E/SP
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 28-DIP（0.300"，7.62mm） IC PIC MCU FLASH 8KX14 28SDIP
NTB35N15T4
FET - 單 ON Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK

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