NTB60N06 全國供應商、價格、PDF資料

NTB60N06G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 30A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3220pF @ 25V

功率_最大：2.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

NTB60N06L詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 30A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3075pF @ 25V

功率_最大：2.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

NTB60N06LG詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 30A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3075pF @ 25V

功率_最大：2.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

NTB60N06LT4詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 30A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3075pF @ 25V

功率_最大：2.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

NTB60N06LT4G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 30A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3075pF @ 25V

功率_最大：2.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

NTB60N06LT4G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET PWR N-CHAN 60A 60V D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 30A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3075pF @ 25V

功率_最大：2.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：剪切帶 (CT)

• NCV33152DR2G

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC MOSFET DRVR DUAL HS 8-SOIC

• NCP1400ASN33T1G

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器    ON Semiconductor    6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）5 引線    IC REG BOOST 3.3V 0.1A 5TSOP

• N3429-600T02RB

  矩形- 接頭，公引腳    3M        26/HDR/STR

• HVR2500004123FR500

  通孔電阻器    Vishay BC Components    軸向    RES 412K OHM METAL FILM .25W 1%

• NBXDBA012LNHTAG

  時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器    ON Semiconductor    6-CLCC    IC OSC XTAL 212.5MHZ 6-CLCC

• MM5Z22VT1G

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    SC-79，SOD-523    DIODE ZENER 22V 200MW SOD-523

• NSBC144EPDXV6T5

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式    ON Semiconductor    SOT-563，SOT-666    TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

• NCP1400ASN33T1G

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器    ON Semiconductor    6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）5 引線    IC REG BOOST 3.3V 0.1A 5TSOP

• NCV33172DR2

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP DUAL LOW PWR 8-SOIC

• HVR2500004223FR500

  通孔電阻器    Vishay BC Components    軸向    RES 422K OHM METAL FILM .25W 1%

• NBXDBA015LN1TAG

  時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器    ON Semiconductor    6-CLCC    IC CLK XO 200.0/206.9MHZ 6CLCC

• MMBD6050LT1

  單二極管/整流器    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE SWITCH 70V SOT23

• MM5Z24V

  單二極管/齊納    Fairchild Semiconductor    SC-79，SOD-523F    DIODE ZENER 24V 200MW SOD-523F

• N3429-D303RB

  矩形- 接頭，公引腳    3M        CONN HEADER STKD 26POS R/A LO

• NCV33272ADR2

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP DUAL HS BIPO 8-SOIC