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NTD18N06詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD18N06-001詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD18N06-1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD18N06G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD18N06L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD18N06L-001詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

P51-750-A-Z-P-20MA-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 750PSI 1/4-18NPT 4-20MA
NTP4302G
FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB
NTD18N06G
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
NX5032GA 9.84375MHZ AT-TPMS
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 9.84375 MHZ 8PF SMD
OD-850F
紅外發射器，UV 發射器 Opto Diode Corp TO-46-2 透鏡頂部金屬罐 EMITTER IR 30MW 850NM
NCV5501DT15RKG
PMIC - 穩壓器 - 線性 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 1.5V .5A DPAK
OP177GSZ-REEL7
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Analog Devices Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP PREC LN 8SOIC
P51-750-S-AA-I36-4.5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 750PSI 7/16-20 UNF 4.5V
NTP45N06G
FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
NX5032GA-12.000000MHZ-LN-CD-1
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 12.000000 MHZ 8PF SMD
OD-880FHT
紅外發射器，UV 發射器 Opto Diode Corp TO-46-2 透鏡頂部金屬罐 EMITTER IR 8MW 880NM NAR TO-46
NCV5501DT33G
PMIC - 穩壓器 - 線性 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 3.3V .5A DPAK-3
P51-750-S-AA-M12-20MA-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 750PSIS 7/16 UNF 4-20 MA
NTP45N06L
FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
OP180
紅外發射器，UV 發射器 TT Electronics/Optek Technology 2-PLCC LED IR 940NM CLEAR PLCC-2 SMD

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