NTD430 全國供應商、價格、PDF資料

NTD4302詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V

功率_最大：1.04W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：DPAK-3

包裝：管件

NTD4302-1G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V

功率_最大：1.04W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應商設備封裝：I-Pak

包裝：管件

NTD4302G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V

功率_最大：1.04W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：DPAK-3

包裝：管件

NTD4302T4詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V

功率_最大：1.04W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：DPAK-3

包裝：帶卷 (TR)

NTD4302T4G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V

功率_最大：1.04W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：DPAK-3

包裝：Digi-Reel®

NTD4302T4G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V

功率_最大：1.04W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：DPAK-3

包裝：剪切帶 (CT)

• HPR103C

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    7-SIP 模塊（5 引線）    CONV DC/DC +/-5V +/-75MA SIP

• MIC1557BM5 TR

  時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器    Micrel Inc    SC-74A，SOT-753    IC OSC MONO TIMING 5MHZ SOT23-5

• NTD4302

  FET - 單    ON Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

• HMC451LP3E

  RF 放大器    Hittite Microwave Corporation    16-VFQFN 裸露焊盤    IC MMIC PWR AMP 16QFN

• NLVHC1G66MUR2G

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    ON Semiconductor    6-UFDFN    IC SWITCH SPST 6UDFN

• P0762.103NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCTOR PWR UNSHIELD 10UH SMD

• NJM2576RB1-TE1

  線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器    NJR    8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 寬）    IC VIDEO AMP W/LPF LO-VOLT 8TVSP

• NJM2265D

  線性 - 視頻處理    NJR    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC VIDEO SUPERIMPOSER 3-IN 8-DIP

• HPR103C

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    7-SIP 模塊（5 引線）    CONV DC/DC +/-5V +/-75MA SIP

• NLVHC595ANG

  邏輯 - 移位寄存器    ON Semiconductor    16-DIP（0.300"，7.62mm）    IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-PDIP

• HMC49DRAH

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤    CONN EDGECARD 98POS R/A .100 SLD

• P0762.334NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCTOR PWR UNSHIELD 330UH SMD

• NJM2266D

  線性 - 視頻處理    NJR    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC VIDEO SUPERIMPOSER 3-IN 8-DIP

• NJM2577M-TE2

  線性 - 視頻處理    NJR    20-DMP    IC VIDEO DRIVER QUAD 20-DMP

• HPR105C

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    7-SIP 模塊（5 引線）    CONV DC/DC +/-15V +/-25MA SIP