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NTHD2102PT1 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NTHD2102PT1詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫歐 @ 3.4A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 2.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:715pF @ 6.4V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:ChipFET?
包裝:帶卷 (TR)

NTHD2102PT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫歐 @ 3.4A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 2.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:715pF @ 6.4V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:ChipFET?
包裝:剪切帶 (CT)

NTHD2102PT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫歐 @ 3.4A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 2.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:715pF @ 6.4V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:ChipFET?
包裝:帶卷 (TR)

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