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NTJD4105C 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NTJD4105CT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
功率_最大:270mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:剪切帶 (CT)

NTJD4105CT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
功率_最大:270mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:Digi-Reel®

NTJD4105CT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
功率_最大:270mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:帶卷 (TR)

NTJD4105CT2詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
功率_最大:270mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:帶卷 (TR)

NTJD4105CT2G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
功率_最大:270mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:帶卷 (TR)

NTJD4105CT4詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
功率_最大:270mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:帶卷 (TR)

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