NTJD4105CT1G詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:剪切帶 (CT)
NTJD4105CT1G詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:Digi-Reel®
NTJD4105CT1G詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
NTJD4105CT2詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
NTJD4105CT2G詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
NTJD4105CT4詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫歐 @ 630mA,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 陣列 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CHAN SS DUAL 30V SOT363
- 光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管 TT Electronics/Optek Technology T-1 PHOTODARLINGTON SILICON NPN T-1
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC OPAMP GP R-R 1MHZ 14TSSOP
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 10NS 208-BGA
- 時鐘/計時 - 時鐘發生器,PLL,頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC CLK MULT PLL HI DRV 16-TSSOP
- 風扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 120X32MM 12V ALARM
- 圖像,相機 ON Semiconductor 52-PLCC IC IMAGE SENSOR 2.3MP 52LLC
- 配件 NXP Semiconductors MODULE DIMM LPC2478 ARM7
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC OPAMP GP R-R 1MHZ 14TSSOP
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 5NS 208-BGA
- 時鐘/計時 - 時鐘發生器,PLL,頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC CLK MULT PLL HI DRV 16-TSSOP
- 圖像,相機 ON Semiconductor 68-QFN IC IMAGE SENSOR 5.3MP 68LLC
- 風扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 120X32MM 12V 93CFM TACH
- 光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管 TT Electronics/Optek Technology 2-SMD,Z形彎曲d PHOTOTRANSISTOR NPN SND REV GULL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC OPAMP GP R-R 1MHZ 14TSSOP
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