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當前位置:網站首頁 » 庫存索引146 » 型號"NTMD2C02R2"的供應信息

NTMD2C02R2 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NTMD2C02R2詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.2A,3.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:43 毫歐 @ 4A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

NTMD2C02R2G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.2A,3.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:43 毫歐 @ 4A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

NTMD2C02R2SG詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.2A,3.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:43 毫歐 @ 4A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

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