NTMS10P02R2 全國供應商、價格、PDF資料

NTMS10P02R2詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

NTMS10P02R2詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

NTMS10P02R2G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

NTMS10P02R2G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

NTMS10P02R2G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

• OPB903W55Z

  光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出    TT Electronics/Optek Technology    模塊，預接線    SWITCH SLOTTED OPTICAL WIDE GAP

• P6KE30

  TVS - 二極管    Littelfuse Inc    DO-204AC，DO-15，軸向    DIODE TVS 30V 600W UNI DO-15 10%

• IMC1210BN1R8J

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 1.8UH 5% 1210

• NTMS10P02R2G

  FET - 單    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

• IDT71V35761S200BQGI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    165-TBGA    IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA

• MMSZ4696T1

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    SOD-123    DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD-123

• MNR14E0ABJ102

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 1K OHM 4 RES 1206

• OPB917B

  光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出    TT Electronics/Optek Technology    模塊，預接線    SENSOR SWITCH LOGIC SLOTTED OPT

• IMC1210BN390K

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 39UH 10% 1210

• MMSZ4697T1G

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    SOD-123    DIODE ZENER 10V 500MW SOD-123

• IDT71V35761SA183BQI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    165-TBGA    IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA

• MNR14E0ABJ102

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 1K OHM 4 RES 1206

• OPB917I

  光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出    TT Electronics/Optek Technology    模塊，預接線    SWITCH SLOTTED OPTICAL WIRE LDS

• P6KE300CAE3/TR13

  TVS - 二極管    Microsemi Commercial Components Group    T-18，軸向    TRANS VOLT SUPP 300V 600W BIDIR

• ORNTV25025001T3

  網絡、陣列    Vishay Thin Film    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC