NTP52N10詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:60A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫歐 @ 26A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3150pF @ 25V
- 功率_最大:214W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
NTP52N10G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:60A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫歐 @ 26A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3150pF @ 25V
- 功率_最大:214W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
- FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
- FET - 單 ON Semiconductor TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
- 鉭 Kemet 軸向 CAP TANT 4.7UF 10V 10% AXIAL
- 過時/停產零件編號 Texas Instruments EVAL MODULE FOR TLC5951-477
- 底座安裝電阻器 Ohmite 盒 RESISTOR HEAT SINK 5.0 OHM 600W
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 360K OHM 1/2W 0.1% 2512
- FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
- FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
- 鉭 Kemet 軸向 CAP TANT 0.68UF 35V 10% AXIAL
- 鉭 AVX Corporation 徑向 CAP TANT 0.68UF 35V 10% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 360 OHM 1/2W 0.1% 2512
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 14-DIP SMD 模塊(8 引線) CONV DC/DC 1W 3.3VIN 3.3V 1KV
- 鉭 Kemet 軸向 CAP TANT 10UF 20V 10% AXIAL
- 數據采集 - 數模轉換器 Texas Instruments 24-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC DAC 8BIT QUAD V-OUT 24-SOIC
- FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
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