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NTR1P02LT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NTR1P02LT1G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫歐 @ 750mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 5V
功率_最大:400mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:帶卷 (TR)

NTR1P02LT1G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫歐 @ 750mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 5V
功率_最大:400mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:剪切帶 (CT)

NTR1P02LT1G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫歐 @ 750mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:225pF @ 5V
功率_最大:400mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:Digi-Reel®

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