PDTC123JT,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
PDTC123JT,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:剪切帶 (CT)
PDTC123JT,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:Digi-Reel®
PDTC123JT,235詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
PDTC123JT,235詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:Digi-Reel®
PDTC123JT,235詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
- 接口 - I/O 擴展器 Texas Instruments 24-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC I/O EXPANDER I2C 16B 24TSSOP
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 芯片電阻 - 表面安裝 TT Electronics/Welwyn 0805(2012 公制) RES 221K OHM 0.1W 0805 0.1% SMD
- 過時/停產零件編號 SofTec Microsystems SRL PROG HEAD FOR MP8011A 20-SOIC
- RF FET STMicroelectronics PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線) IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
- DC DC Converters GE 8-DIP SMD 模塊,1/16 磚 CONVERTER DC/DC 5V 30W OUT SMD
- TVS - 二極管 TE Connectivity 0402(1005 公制) ESD PROTECTOR 0402 14VDC POLYMER
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology 14-SOIC(0.256",6.50mm 寬) THERMAL PAD 5X5X0.25MM
- 接口 - I/O 擴展器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盤 IC I/O EXPANDER I2C 16B 24VQFN
- RF FET STMicroelectronics PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線) TRANSISTOR RF POWERSO-10
- 芯片電阻 - 表面安裝 TT Electronics/Welwyn 0805(2012 公制) RES 22.1K OHM 0.1W 0805 0.1% SMD
- 原型開發板 - 未穿孔 Injectorall Electronics 8-DIP(0.300",7.62mm) PCB COPPER CLAD POS 4.5X7"1 SIDE
- 接口 - I/O 擴展器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盤 IC I/O EXPANDER I2C 16B 24VQFN
- TVS - 二極管 TE Connectivity 0402(1005 公制) ESD PROTECTOR 0402 14VDC POLYMER
- DC DC Converters GE 8-DIP SMD 模塊,1/16 磚 CONVERTER DC/DC 5V 50W OUT SMD
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