PHN210,118詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET NCH DL TRENCH 8SOIC
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 20V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
PHN210T,118詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOIC
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 20V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
- 連接器,互連器件 LEMO 12-XFDFN RECPT CDN 4CTS
- 紅外發射器,UV 發射器 Marktech Optoelectronics 4-PLCC EMITTER IR POINT SOURCE
- 標簽,標記 TE Connectivity 4-PLCC LABEL ID PRODUCT
- EMI/RFI(LC、RC 網絡) NXP Semiconductors 16-XFDFN IC RC FILTER NETWORK 8CH 16HXSON
- 套管,索環 Richco Plastic Co 16-XFDFN BUSHING OPEN/CLOSED .630 X .21"
- 連接器,互連器件 LEMO 16-XFDFN RECPT CDN 19CTS
- AC DC 轉換器 TDK-Lambda Americas Inc 16-XFDFN PWRSUP AC-DC 85-265VAC 48V 10.5A
- 紅外發射器,UV 發射器 Marktech Optoelectronics 同軸,金屬罐 EMITTER IR POINT SOURCE
- EMI/RFI(LC、RC 網絡) NXP Semiconductors 16-XFDFN IC RC FILTER NETWORK 8CH 16HXSON
- AC DC 轉換器 TDK-Lambda Americas Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) PWRSUP AC/DC 85-265VAC 48V 10.5A
- 套管,索環 Richco Plastic Co 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) BUSHING OPEN/CLOSED .512 X .41"
- EMI/RFI(LC、RC 網絡) NXP Semiconductors 16-XFDFN IC RC FILTER NETWORK 8CH 16HXSON
- 紅外發射器,UV 發射器 Marktech Optoelectronics TO-46-2,金屬罐 EMITTER POINT SOURCE VISIBLE RED
- 微調器 Murata Electronics North America TO-46-2,金屬罐 TRIMMER 1M OHM 0.001W SMD
- 底座安裝電阻器 Ohmite 徑向,管狀 RESISTOR EDGEWOUND .10 OHM 1000W
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