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PHP45N03LTA,127詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 40A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：65W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

PHP45NQ10T,127詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：47A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2600pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

PHP45NQ10TA,127詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：47A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2600pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

PHP45NQ11T,127詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：105V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：47A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

PHP45NQ11T,127詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：105V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：47A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

PHP45NQ15T,127詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 45.1A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：45.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1770pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

PC112-H25D-C0
線夾和夾具 Panduit Corp 徑向，罐形 - 水平 PAN-CLAMP HVY DUTY FIXED 1 1/8"
PDB-C120-L
光學 - 光電檢測器 - 光電二極管 Advanced Photonix Inc TO-46-2，金屬罐 PHOTODIODE BLUE 0.073MM SQ TO-46
PHP45NQ10TA,127
FET - 單 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
PF0580.182NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCT PWR 1.8UH SMD
MS3456W16S-1SW
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 7POS STRAIGHT W/SCKT
PD10GE159
振蕩器 Pericom 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 159.375MHZ 3.3V SMD
PSMN7R0-30YLC,115
FET - 單 NXP Semiconductors SC-100，SOT-669，4-LFPAK MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK
PE-61018
其它 Pulse Electronics Corporation 非標準 TRANSFORMER
PDB-C135
光學 - 光電檢測器 - 光電二極管 Advanced Photonix Inc 徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） PHOTODIODE BLUE .65MM SQ T1 3/4
PF0580.393NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCT PWR 39UH SMD
MS3456W16S-8B
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG PLUG 5POS STRGHT SCKT
PD2425N5050S2
RF 功率分配器/分線器 Anaren 0404（1010 公制） POWER DIVIDER 2400-2500MHZ 0404
PE-62895NL
共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 水平式，4 PC 引腳 INDUCTOR COM MODE 8.0MH T/H
PSMN7R0-40LS,115
FET - 單 NXP Semiconductors 8-VDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 40V QFN3333
PC-11476
箱 Bud Industries 徑向，罐形 - 水平 BOX ABS 5.12X2.99X1.18" GRY

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