PN2369詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR SWITCHING NPN HS TO92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
PN2369_D26Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS GP NPN 15V 200MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
PN2369_D27Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS GP NPN 15V 200MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
PN2369A詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR SWITCHING NPN HS TO92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
PN2369A,126詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 15V TO-92
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,350mV
- 功率_最大:500mW
- 頻率_轉換:500MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
PN2369A_D26Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS GP NPN 15V 200MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 64-VFQFN 裸露焊盤 MCU 16BIT 64KB FLASH 64QFN
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology 64-VFQFN 裸露焊盤 NON SILICONE TIM 150X150X1MM
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 1.35K OHM 5PPM .05% 0805
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRANSISTOR SWITCHING NPN HS TO92
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 THERMAL PAD 20X10X1MM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 13.5K OHM 5PPM .02% 0805
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 PC93 SHEET 300X300X0.25MM
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 TRANS NPN 50V 100MA SOT416
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 14.0K OHM 5PPM .05% 0805
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TRANS GP NPN 15V 200MA TO-92
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 PC93 SHEET 320X320X1MM
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