PSMN1R2-25YL 全國供應商、價格、PDF資料
PSMN1R2-25YL,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:6380pF @ 12V
- 功率_最大:121W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT1023,4-LFPAK
- 供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
- 包裝:剪切帶 (CT)
PSMN1R2-25YL,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:6380pF @ 12V
- 功率_最大:121W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT1023,4-LFPAK
- 供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
- 包裝:Digi-Reel®
PSMN1R2-25YL,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:6380pF @ 12V
- 功率_最大:121W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
- 供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
- 包裝:帶卷 (TR)
PSMN1R2-25YLC,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.3 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.95V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4173pF @ 12V
- 功率_最大:179W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
- 供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
- 包裝:剪切帶 (CT)
PSMN1R2-25YLC,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.3 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.95V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4173pF @ 12V
- 功率_最大:179W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
- 供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
- 包裝:Digi-Reel®
PSMN1R2-25YLC,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.3 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.95V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4173pF @ 12V
- 功率_最大:179W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
- 供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
- 包裝:帶卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 14-SIP 模塊 SERIAL CNVRTR UNIT IRONLESS MO
- 配件 Capital Advanced Technologies 14-SIP 模塊 SIP PIN FOR EDGE OF PCB TIN
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
- 功率 Tamura TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA TRANSF LO PRO DUAL 5VAC 2.0A
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 12.6K OHM 0.01% 5PPM 0805SMD
- 固定式 Bourns Inc. 1210(3225 公制) INDUCTOR CHIP 1.0UH 10% 1210 SMD
- 電源輸入 - 模塊 TE Connectivity 1210(3225 公制) MODULE PWR ENT DL FUSE FILTER 6A
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 1210(3225 公制) MOUNTING OPTION L-BRACKETS
- DC DC Converters Texas Instruments 14-SIP 模塊 REGULATOR 12V 1.25A 14SIP VERT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 13.0K OHM 0.01% 5PPM 0805SMD
- 配件 Switchcraft Inc. 0805(2012 公制) SWITCH PLASTIC BARRIER END BLACK
- 電源輸入 - 模塊 TE Connectivity 0805(2012 公制) MODULE PWR ENT DL FUSE FILTER 6A
- 固定式 Bourns Inc. 1210(3225 公制) INDUCTOR CHIP 39UH 10% 1210 SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 1210(3225 公制) MOUNTING OPTION L-BRACKETS
- DC DC Converters Texas Instruments 14-SIP SMD 模塊 REG 5V-9V 3A SIP HSMD HT
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