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PSMN2R0-30YL 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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PSMN2R0-30YL,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:64nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3980pF @ 12V
功率_最大:97W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:Digi-Reel®

PSMN2R0-30YL,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:64nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3980pF @ 12V
功率_最大:97W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:帶卷 (TR)

PSMN2R0-30YL,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:64nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3980pF @ 12V
功率_最大:97W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:帶卷 (TR)

PSMN2R0-30YL,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:64nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3980pF @ 12V
功率_最大:97W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:剪切帶 (CT)

PSMN2R0-30YLE,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK
系列:*
制造商:NXP Semiconductors
FET型:
FET特點:
漏極至源極電壓333Vdss444:
電流_連續漏極333Id4440a025000C:
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
Id時的Vgs333th444(最大):
閘電荷333Qg4440a0Vgs:
輸入電容333Ciss4440a0Vds:
功率_最大:
安裝類型:
封裝/外殼:
供應商設備封裝:
包裝:

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