PUMD3,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
PUMD3,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:剪切帶 (CT)
PUMD3,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
PUMD3,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:Digi-Reel®
PUMD3,125詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS ARRAY NPN/PNP 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
PUMD3,135詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS ARRAY NPN/PNP 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
- 原型開發板 - 未穿孔 Injectorall Electronics TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PCB COPPER CLAD POS 4.5X7"2 SIDE
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 44-VQFN 裸露焊盤 IC PIC MCU FLASH 64KB 44QFN
- 矩形- 接頭,公引腳 Sullins Connector Solutions 44-VQFN 裸露焊盤 CONN HEADER .100 SINGL R/A 29POS
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 12.1K OHM 5PPM .05% 0805
- 原型開發板 - 未穿孔 Injectorall Electronics 0805(2012 公制) PCB COPPER CLAD 6 X 9" 2 SIDE
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 端子 - 鏟形 Panduit Corp TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TERM FORK NYL 26-22AWG #2
- 矩形- 接頭,公引腳 Sullins Connector Solutions TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN HEADER .100 DUAL STR 60POS
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 12.3K OHM 5PPM .05% 0805
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 TRANS NPN W/RES 50V SOT-416
- 光隔離器 - 邏輯輸出 Sharp Microelectronics 14-SOIC(0.256",6.50mm 寬) PHOTOCOUPLER OPIC 14-SMD
- 矩形- 接頭,公引腳 Sullins Connector Solutions 14-SOIC(0.256",6.50mm 寬) CONN HEADER .100 DUAL STR 60POS
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 80-TQFP IC MCU 16BIT 64KB FLASH 80TQFP
- 端子 - 環形 Panduit Corp 80-TQFP TERM RING NYL 26-22AWG #4
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