PUMH9,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:Digi-Reel®
PUMH9,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:剪切帶 (CT)
PUMH9,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
PUMH9,125詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS ARRAY NPN/NPN 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
PUMH9,135詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
PUMH9,165詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 1.35K OHM 5PPM .05% 0805
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRANSISTOR SWITCHING NPN HS TO92
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 THERMAL PAD 20X10X1MM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 13.5K OHM 5PPM .02% 0805
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN 50V 100MA 6TSSOP
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TRANS GP NPN 15V 200MA TO-92
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 PC93 SHEET 300X300X0.25MM
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 TRANS NPN 50V 100MA SOT416
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TRANS GP NPN 15V 200MA TO-92
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 PC93 SHEET 320X320X1MM
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 NXP Semiconductors SC-101,SOT-883 TRANS NPN 50V 100MA SOT883
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 14.5K OHM 5PPM .02% 0805
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS ARRAY NPN W/RES 6TSSOP
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TRANS GP PNP 60V 800MA TO-92
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