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RN1111 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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RN1111FS(TPL3)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 250µA,5mA
電流_集電極截止(最大):-
頻率_轉換:-
功率_最大:50mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:fSM(1.0x0.6)
包裝:帶卷 (TR)

RN1111MFV(TPL3)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-723
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 1mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
電流_集電極截止(最大):-
頻率_轉換:-
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-723
供應商設備封裝:VESM(1.2x1.2)
包裝:帶卷 (TR)

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