RN1112FS(TPL3)詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
- 電阻器_基極333R1444(歐):22k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:50mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:fSM(1.0x0.6)
- 包裝:帶卷 (TR)
RN1112MFV(TPL3)詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-723
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):22k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-723
- 供應商設備封裝:VESM(1.2x1.2)
- 包裝:帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805(2012 公制) RES 25.5K OHM 1/8W .1% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805(2012 公制) RES 48.7 OHM 1/8W .1% 0805
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 97.6K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Toshiba 3-SMD,扁平引線 TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1210(3225 公制) RES TF 1/3W 1.37K OHM 1% 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603(1608 公制) RES 6.34K OHM 1/16W .5% 0603 SMD
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MO 2W 240 OHM 5% AXIAL
- 可配置開關元件,主體 TE Connectivity 軸向 SWITCH PB 6A MOM BLUE PANEL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805(2012 公制) RES 25.5K OHM 1/8W .5% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805(2012 公制) RES 48.7 OHM 1/8W .5% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1210(3225 公制) RES TF 1/3W 1.65K OHM 1% 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603(1608 公制) RES 64.9K OHM 1/16W .5% 0603
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES METAL OX 2W 27 OHM 5% AXL
- 變阻器 Vishay Sfernice 軸向 RHEOSTAT 100 OHM 12W 10% WW
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603(1608 公制) RES 665 OHM 1/16W .5% 0603
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