SGB02N120詳細規格
- 類別:IGBT - 單路
- 描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO263-3
- 系列:-
- 制造商:Infineon Technologies
- IGBT類型:NPT
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):1200V
- VgewwwwIc時的最大Vce(開):3.6V @ 15V,2A
- 電流_集電極333Ic444(最大):6.2A
- 功率_最大:62W
- 輸入類型:標準
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 620 OHM 1/8W .5% SMD 0805
- RF 評估和開發套件,板 Sagrad Inc 模塊 RF EVAL WI-FI MODULE
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 560PF 50V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 150PF 100V 10% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206(3216 公制) RES 715 OHM 1/4W .25% SMD 1206
- 鉚釘 Richco Plastic Co 徑向,Can - 卡入式 SNAP LOCK PINS TEAR-DROP .236"
- 線性 - 音頻處理 Texas Instruments 48-TQFP IC SAMPLE RATE CONV 2CH 48-TQFP
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 560PF 50V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1500PF 100V 5% RADIAL
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 270UF 200V 20% SNAP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206(3216 公制) RES 732K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- 線性 - 音頻處理 Texas Instruments 48-TQFP IC SAMPLE RATE CONV 2CH 48-TQFP
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
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