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SI1013X-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：350mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應商設備封裝：SC-89-3; 包裝：Digi-Reel®

SI1013X-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：350mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應商設備封裝：SC-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

SI1013X-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：350mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應商設備封裝：SC-89-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1013X-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：350mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應商設備封裝：SC-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

SI1013X-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：350mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應商設備封裝：SC-89-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1013X-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：350mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應商設備封裝：SC-89-3; 包裝：Digi-Reel®

SR211A332FAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3300PF 100V 1% RADIAL
SR201A332KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3300PF 100V 10% RADIAL
SI1013X-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix SC-89，SOT-490 MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
MS3106F28-20PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 14POS INLINE W/PINS
SMH63VN272M22X35T2
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 2700UF 63V 20% SNAP
SR152A151FARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 150PF 200V 1% RADIAL
SR211A470JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 47PF 100V 5% RADIAL
SR201A361JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 360PF 100V 5% RADIAL
SIL10E-05S1V5-V
DC DC Converters Emerson Network Power 11-SIP 模塊 CONV DC/DC NIPOL 10A 1.5V VERT
SR152A151GARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 150PF 200V 2% RADIAL
SMH63VN562M25X45T2
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 5600UF 63V 20% SNAP
SR211A470JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 47PF 100V 5% RADIAL
SIL10E-05S2V5-V
DC DC Converters Emerson Network Power 11-SIP 模塊 CONV DC/DC NIPOL 10A 2.5V VERT
SR201A392JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 100V 5% RADIAL
SI1022R-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A

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