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SI1022R-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：330mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.25 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75A; 供應商設備封裝：SC-75A; 包裝：帶卷 (TR)

SI1022R-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：330mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.25 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75A; 供應商設備封裝：SC-75A; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1022R-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：330mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.25 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75A; 供應商設備封裝：SC-75A; 包裝：Digi-Reel®

SI1022R-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.25 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75A; 供應商設備封裝：SC-75A; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1022R-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.25 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75A; 供應商設備封裝：SC-75A; 包裝：Digi-Reel®

SI1022R-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.25 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75A; 供應商設備封裝：SC-75A; 包裝：帶卷 (TR)

SI1022R-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
SR151C332MAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3300PF 100V 20% RADIAL
SMA6F8.5A-M3/6A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-221AC，SMA 扁平引線 TVS DIODE 8.5V 1CH UNI DO-221AC
MMSZ5229BS-7-F
單二極管/齊納 Diodes Inc SC-76，SOD-323 DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD-323
RY-1515D
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 15VIN +/-15VOUT
SSQ-135-01-G-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 70POS DUAL GOLD
SRF0703-101M
陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 100UH SMD
SI4992EY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC
SMA6F8.5A-M3/6B
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-221AC，SMA 扁平引線 TVS DIODE 8.5V 1CH UNI DO-221AC
RY-1515D/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 15VIN +/-15VOUT
MMSZ5229BT1G
單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD-123
SSQ-135-01-S-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 35POS SNGL GOLD
SRF0703-102M
陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 1000UH SMD
SI4992EY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC
SMA6J10CA-TR
TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 10V BIDIRECT SMA

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