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SI1024X-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：485mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 600mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：Digi-Reel®

SI1024X-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：485mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 600mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1024X-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：485mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 600mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：帶卷 (TR)

SI1024X-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：485mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 600mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：帶卷 (TR)

SI1024X-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：485mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 600mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1024X-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：485mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 600mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SC-89-6; 包裝：Digi-Reel®

SR151C392KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
SI1023X-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6
RY-1524S/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 15VIN 24VOUT
MMSZ5230B
單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD-123
SRF0703-150M
陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 15UH SMD
SSQ-135-02-G-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 70POS DUAL GOLD
SI-50080-F
模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN MAGJACK SHLD 10/100/1000BT
SMA6J13CA-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS DIODE 600W 13V 1CH BI SMA
SR151C471JAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
MMSZ5230B-TP
單二極管/齊納 Micro Commercial Co SOD-123 DIODE ZENER 500MW 4.7V SOD123
SRF0703-221M
陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 220UH SMD
SSQ-135-03-G-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 70POS DUAL GOLD
SMA6J15A-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS DIODE 600W 15V 1CH UNI SMA
SI-50089-F
模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN MAGJACK 1PT GIGABIT G/R
RY-2405S/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 24VIN 05VOUT

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