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SI1302DL-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：600mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 600mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：280mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3; 包裝：帶卷 (TR)

SI1302DL-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：600mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 600mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：280mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1302DL-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：600mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 600mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：280mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3; 包裝：Digi-Reel®

SI1302DL-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：600mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 600mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：280mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3; 包裝：帶卷 (TR)

SI1302DL-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：600mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 600mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：280mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1302DL-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：600mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 600mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：280mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3; 包裝：Digi-Reel®

SSW-108-03-T-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 8POS SNGL TIN
RT8465ZS
PMIC - LED 驅動器 Richtek USA Inc IC PWM DVR/CTLR CV MR16 12SOP
SI4992EY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 75V 8-SOIC
SS-5GL-FD
快動，限位，拉桿 Omron Electronics Inc-EMC Div SWITCH BASIC SPDT PCB 5A PCB
SMA5J14A-E3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 500W 14V 5% SMA
SI1302DL-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix SC-70，SOT-323 MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3
RT8465ZS
PMIC - LED 驅動器 Richtek USA Inc IC PWM DVR/CTLR CV MR16 12SOP
SSW-108-21-S-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 16POS DUAL GOLD
SI-50076-F
模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN MAGJACK 1PT GIGABIT SHLD
SMA5J14AHE3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 500W 14V 5% SMA
RT8567GQW
PMIC - LED 驅動器 Richtek USA Inc 20-WFQFN 裸露焊盤 IC LED DVR 6CH HV 20WQFN
SSW-109-01-T-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 18POS DUAL TIN
SI-50141-F
模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 28-VFQFN 裸露焊盤 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/Y
SS-5H-2.5A-AP
保險絲 Cooper Bussmann FUSE 2.5A 250V RADIAL
SMAJ33CA-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS 400W 33V BIDIRECT SMA

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