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SI2301CDS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2301CDS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2301CDS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2301CDS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2301CDS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2301CDS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 2.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

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SQCB7A300JAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 30PF 500V 5% 1111
SDR6603-151M
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 150UH 0.25A SMD
SI2173-A-EVB
評估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 40-VFQFN 裸露焊盤 BOARD EVALUATION SI2173+SI2143
SN75LP196DWR
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC LOW RS-232 DRVR/REC 20-SOIC
SQCB7A330JA1ME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 33PF 500V 5% 1111
MS27497E18B11S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 11POS WALL MNT W/SCKT
SPP04N80C3
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
SN74LVC1G00YEAR
邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 5-XFBGA，WLCSP IC POS-NAND GATE 2IN 5-DSBGA
SDR6603-1R0M
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 1.0UH 2.9A SMD
SQCB7A360GAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 36PF 500V 2% 1111
MS27497E18B28P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 28POS WALL MNT W/PINS
SPP07N60CFD
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
SN74LVC1G02DBVR
邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC 2-INPUT NOR GATE SOT-23-5
SDR6603-6R8M
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 6.8UH 1.4A SMD
SN75LP196PWR
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC LOW RS-232 DRIVER/REC 20TSSOP