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SI2306BDS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2306BDS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2306BDS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2306BDS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2306BDS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2306BDS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

VI-BN4-MU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 200W
SI2306BDS-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
VI-B1L-IU-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
VI-B51-EX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W
VI-B3Y-EV-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
SL-128-TT-12
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 28POS TIN PCB
SI8231AB-B-IS1
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC HIGH/LOW SIDE DRIVER 16NSOIC
VI-BN4-MV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
VI-B0J-MY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VI-B3Y-EV-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
VI-B51-EX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W
SL-129-G-11
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 29POS GOLD PCB
SI8231BB-B-IS1
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC HIGH/LOW SIDE DRIVER 16SOIC
VI-BN4-MV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
VI-B0K-CY-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W

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