SI3900DV 全國供應商、價格、PDF資料

SI3900DV-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應商設備封裝：6-TSOP

包裝：Digi-Reel®

SI3900DV-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應商設備封裝：6-TSOP

包裝：剪切帶 (CT)

SI3900DV-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應商設備封裝：6-TSOP

包裝：帶卷 (TR)

SI3900DV-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應商設備封裝：6-TSOP

包裝：剪切帶 (CT)

SI3900DV-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應商設備封裝：6-TSOP

包裝：Digi-Reel®

SI3900DV-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應商設備封裝：6-TSOP

包裝：帶卷 (TR)

• SMCJ16CHE3/57T

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AB，SMC    TVS 1.5KW BIDIR 16V 10% SMC

• SI3867DV-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

• SFV10R-1STE1LF

  FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝    FCI    模塊    CONN FPC/FFC 10POS .5MM R/A SMD

• SDV-SH7.5

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    16-DIP（0.300"，7.62mm），4 引線    SHUNT 7.5A .1V FOR SDV-FL

• SMCJ7.5CAHE3/9AT

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AB，SMC    TVS 1.5KW BIDIR 7.5V 5% SMC

• RSUS1921CG1

  支架 - 元件    Hammond Manufacturing    SC-70，SOT-323    SHELF SLIDE 21X16.6X1.5" BE/GY

• SG-615P 12.2880MC0:ROHS

  振蕩器    EPSON    4-SOJ，5.08mm 間距    OSCILLATOR 12.2880MHZ SMD

• SMCJ16-E3/57T

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AB，SMC    TVS UNIDIRECT 1.5KW 16V 10% SMC

• SFH615A-4

  光隔離器 - 晶體管，光電輸出    Vishay Semiconductor Opto Division    4-DIP（0.300"，7.62mm）    OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 320% 4DIP

• SMCJ7.5CHE3/57T

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AB，SMC    TVS 1.5KW BIDIR 7.5V 10% SMC

• SDV-SH7.5

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    16-DIP（0.300"，7.62mm），4 引線    SHUNT 7.5A .1V FOR SDV-FL

• RSVS1921CG1

  支架 - 元件    Hammond Manufacturing        SHELF SLIDE 21X16.6X1.5" BE/GY

• SG-615P 14.4756MC0

  振蕩器    EPSON    4-SOJ，5.08mm 間距    OSCILLATOR 14.4756MHZ SMD

• SMCJ170

  TVS - 二極管    Littelfuse Inc    DO-214AB，SMC    DIODE TVS 170V 1500W UNIDIR SMC

• SFH6186-2T

  光隔離器 - 晶體管，光電輸出    Vishay Semiconductor Opto Division    *    OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 125% 4SMD