SI4362BDY-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI4362BDY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:29A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.6 毫歐 @ 19.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:115nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 15V
- 功率_最大:6.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4362BDY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:29A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.6 毫歐 @ 19.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:115nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 15V
- 功率_最大:6.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC,SMA TRANSIL 600W 12V BIDIR SMA
- 評估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 80-LBGA BOARD EVAL FOR SI5375
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 90POS DUAL GOLD
- 陣列,信號變壓器 Bourns Inc. 水平式,4 PC 板 IND SHIELDED POWER 150UH SMD
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC,SMA TRANSIL 600W 12V BIDIR SMA
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 陣列,信號變壓器 Bourns Inc. 水平式,4 PC 板 IND SHIELDED POWER 22UH SMD
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 90POS DUAL TIN
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC,SMA TRANSIL 600W 15V UNIDIR SMA
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
- 陣列,信號變壓器 Bourns Inc. 水平式,4 PC 板 IND SHIELDED POWER 220UH SMD
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