SI4404DY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫歐 @ 23A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4404DY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫歐 @ 23A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- PTC 可復位保險絲 Bourns Inc. 1210(3225 公制),凹陷 FUSE PTC RESET 1.75A HLD SMD
- 振蕩器 EPSON 4-SOJ,5.08mm 間距 OSCILLATOR 4.0000MHZ SMD
- PMIC - 電源分配開關 Micrel Inc 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC PCMCIA/CARDBUS CTRLR 14-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0402(1005 公制) RES 10 OHM 1/6W 5% 0402
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 5.49K OHM 1% AXIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(SH) MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK
- 墊圈 B&F Fastener Supply 帶 WASHER FLAT M6 STEEL
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 3300UF 50V 20% SNAP
- PMIC - 電源分配開關 Micrel Inc 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC CTRLR PCMCIA CARDBUS 14SOIC
- 振蕩器 EPSON 4-SOJ,5.08mm 間距 OSC 25.0000MHZ 5.0V+/-100PPM SMD
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 5.1 OHM 1/4W 1% AXIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
- 壓接器,施用器,壓力機 Amphenol Sine Systems Corp 帶 TOOL HAND CONTACT STAMPED 20AWG
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 3300UF 100V 20% SNAP
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