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SI4420BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4420BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4420BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4420BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4420BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4420BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SG90
氣體放電管 (GDT) Littelfuse Inc 1812（4532 公制） SURGE ARRESTER GDT 90V 2KA SMD
VI-B6J-IX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
SI4413CDY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
VIPER06HSTR
PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 STMicroelectronics 10-SOP（0.154"，3.90mm 寬） IC OFFLINE SWITCH PWM 10-SSOP
VJ0805Y103KXBBC31
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 100V X7R 0805
VI-2WD-MY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 50W
VJ1206Y332KXLAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 3300PF 630V 10% X7R 1206
VJ1210Y224KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.22UF 100V 10% X7R 1210
SG-9001CA C15P 33.3333MC
振蕩器 EPSON 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 33.3333MHZ+-1.5%CTR-SPRD SMD
VI-B6J-IY
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VJ0805Y103MXACW1BC
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 0805
VI-2WF-CV-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W
VJ1210Y224KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.22UF 100V 10% X7R 1210
VJ1206Y333JBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 0.033UF 200V 5% X7R 1206
SG-9001CA C20P 50.0000MC
振蕩器 EPSON 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 50.0000MHZ+-2.0%CTR-SPRD SMD

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