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SI4427BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 12.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4427BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 12.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4427BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 12.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4427BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 12.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

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