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SI4430BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4430BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4430BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4430BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4430BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4430BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SG-9001CA D15P 66.6667MC
振蕩器 EPSON 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 66.6667MHZ -1.5%DWN-SPRD SMD
SI4425BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
VI-B6J-MU-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 200W
VI-2WF-CV-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W
VIPER17HN
PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 STMicroelectronics 8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引線 IC OFFLINE CONV PWM OVP OCP 8DIP
VJ0805Y104KXXAT
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 25V 10% X7R 0805
VJ1210Y272JBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 2700PF 630V 5% X7R 1210
VJ1206Y333MXPAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206
SG901-1028
RF 收發器 Sagrad Inc 模塊 MODULE WIFI RADIO 802.11B/G
VIPER20A-22-E
PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 STMicroelectronics Pentawatt-5 HV（彎曲和錯列引線） IC SWIT SMPS CM OTP PENTAWATT5
VI-2WF-CV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W
VJ0805Y104MXAAT
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 50V 20% X7R 0805
SG923-0003
RF 評估和開發套件，板 Sagrad Inc 模塊 KIT SOFTWARE INTEGRATN SPI/SDIO
VJ1206Y391KBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 390PF 500V 10% X7R 1206
SI4431BDY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

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