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SI4511DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.2A，4.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4511DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.2A，4.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4511DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.2A，4.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4511DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.2A，4.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4511DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.2A，4.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4511DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.2A，4.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

MS27656T25A61P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 61POS WALL MNT W/PINS
SGR-8002DC-STC
振蕩器 - 可編程式 EPSON 8-DIP，4 引線（半尺寸） OSCILLATOR TTL PROG 5V ST
SFV18R-2STE1HLF
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 CONN FPC/FFC 18POS .5MM R/A SMD
SI4501ADY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 8-SOIC
MS3102R28-21SZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 37 POS BOX MNT W/SCKT
SQP500JB-6R8
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 6.8 OHM 5W 5% WIREWOUND
T495C106K016ZTE450
鉭 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 10UF 16V 10% 2312
SGR-8002DC-STM
振蕩器 - 可編程式 EPSON 8-DIP，4 引線（半尺寸） OSCILLATOR TTL PROG 5V ST
SFV20R-1STE1
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 SFV20R-1STE1-FFC/FPC CONN
MS3102R28-21SZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 37 POS BOX MNT W/SCKT
T495C106K020ATE475
鉭 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 10UF 20V 10% 2312
SQP500JB-75R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 75 OHM 5W 5% WIREWOUND
SGR-8002JA-PCC
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V OE SMD
SFV20R-1STE1HLF
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 CONN FPC/FFC 20POS .5MM R/A SMD
MS27656T25B24S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 24POS WALL MNT W/SCKT

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