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SI4559ADY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4559ADY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4559ADY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4559ADY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4559ADY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4559ADY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

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SI4532DY
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FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 CONN FPC/FFC 20POS .5MM R/A SMD
SGR-8002JA-STM
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR TTL PROG 5V ST SMD
MS3102R28-22PZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6 POS BOX MNT W/PINS
SQS20B1501GSLF
網絡、陣列 TT Electronics/BI 20-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） RES ARRAY 1.5K OHM 19 RES 20SSOP
T495C107M006ATE150
鉭 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 100UF 6.3V 20% 2312
SFV21R-1STE1LF
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 CONN FPC/FFC 21POS .5MM R/A SMD
SGR-8002JC-PCB
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V OE SMD
MS27656T25B29S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 29POS WALL MNT W/SCKT