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SI4567DY-T1 全國供應商、價格、PDF資料

SI4567DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A，3.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：1.85W，1.95W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4567DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A，3.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：1.85W，1.95W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4567DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A，3.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：1.85W，1.95W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4567DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A，4.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：2.75W，2.95W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

RT1206DRE076K98L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 6.98K OHM 1/4W .5% SMD 1206
RYM22DTAN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD
SST1.5S-M
扎帶 Panduit Corp 2-SMD，方形端塊 *STA-STRAP* TIE
SI3220PPT0-EVB
評估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 64-TQFP BOARD EVAL W/SI3200 INTERFACE
SI7601DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
RYM22DTBN-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156
SMAJ150A-13-F
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 150V SMA
SI6913DQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
RT1206DRE0778K7L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 78.7K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI32260-C-GM
接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc IC PROSLIC FXS WIDEB -110V 60QFN
SI7611DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
RYM22DTMN-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156
SMAJ150A-13-F
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 150V SMA
SI6913DQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
SST11CP15-QUBE
RF 放大器 Microchip Technology 12-UFQFN 裸露焊盤 IC RF PWR AMP 802.11A/N 12UQFN