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SI4599DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A，5.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35.5 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 20V; 功率_最大：3W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4599DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A，5.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35.5 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 20V; 功率_最大：3W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4599DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A，5.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35.5 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 20V; 功率_最大：3W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

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配件 Vicor Corporation MECHNCL SAMPLE PRM HALF CHIP SMD
VI-2WH-CX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
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陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 0.047UF 500V X7R 1206
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IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT 600V 30A TO-263
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陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 1210