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SI4621DY-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI4621DY-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:54 毫歐 @ 5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 10V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

SI4621DY-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:54 毫歐 @ 5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 10V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)

SI4621DY-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:54 毫歐 @ 5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 10V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:Digi-Reel®

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