SI4684DY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2080pF @ 15V
- 功率_最大:4.45W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4684DY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2080pF @ 15V
- 功率_最大:4.45W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 6.8PF 100V RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 953K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 配件 Olimex LTD PASSIVE ELECTRODE FOR SHIELD
- 線路濾波器 TDK-Lambda Americas Inc - EMI FILTER 500VAC 60A SCREW TERM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402(1005 公制) RES 226 OHM 1/16W .5% SMD 0402
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH D-S 80V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 82PF 100V 2% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 100PF 150V 5% 0605
- 配件 Olimex LTD PASSIVE ELECTRODE FOR SHIELD
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 82PF 100V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 100PF 150V 5% 0605
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC
- 通孔電阻器 Vishay Sfernice TO-220-2 RES 1.0K OHM 20W 5% TO-220
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402(1005 公制) RES 237 OHM 1/16W .5% SMD 0402
永济市|
安阳市|
伽师县|
宁陕县|
桓仁|
玛纳斯县|
米脂县|
象州县|
怀来县|
商洛市|
建湖县|
芒康县|
西乌珠穆沁旗|
绥宁县|
孝义市|
云阳县|
全椒县|
华容县|
资阳市|
镇康县|
阳曲县|
长宁区|
上高县|
吉木乃县|
宣武区|
嵊泗县|
宁波市|
新巴尔虎右旗|
汝南县|
葫芦岛市|
高密市|
陇川县|
永德县|
乾安县|
叶城县|
石门县|
德安县|
禄劝|
西峡县|
宁晋县|
潜江市|