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SI4838BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 12V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：34A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5760pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4838BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 12V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：34A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5760pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4838BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 12V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：34A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5760pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4838DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4838DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4838DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

VI-B2Z-MY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W
VJ1210A180KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 18PF 100V 10% NP0 1210
VJ1206A220JXRAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 22PF 1.5KV 5% NP0 1206
VI-B6X-CW
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
VI-B7K-MW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
VI-B32-MV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 150W
VI-B30-CV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 150W
VJ1206A220KBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 22PF 1.5KV 10% NP0 1206
VJ1210A180KBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 18PF 630V 10% NP0 1210
VI-B7K-MW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
VI-B6X-CW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
VJ1210A181JBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 180PF 100V 5% NP0 1210
VJ1206A220KXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 22PF 1KV 10% NP0 1206
VI-B32-MV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 150W
VI-B30-CV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 150W

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