SI4850EY-T1詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4850EY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4850EY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI4850EY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
SI4850EY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4850EY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC AMP CMOS INPUT SOT-23-5
- 磁性 - 霍爾效應,數字式開關,線性,羅盤 (IC) Honeywell Sensing and Control 3-SMD,鷗翼型 SENSOR MINI LINEAR HALL-EFFECT
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- PMIC - 穩壓器 - 專用型 Richtek USA Inc 20-WFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR BUCK PWM VM 20WQFN
- 邏輯 - 專用邏輯 NXP Semiconductors 48-TFSOP(0.240",6.10mm 寬) IC REG DRIVER 14BIT 48TSSOP
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can CAP ALUM 4.7UF 25V 20% RADIAL
- TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 24V 400W BI 5% SMD
- FET - 陣列 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 邏輯 - 專用邏輯 NXP Semiconductors 56-VFQFN 裸露焊盤 IC REG BUFFER 26BIT 56HVQFN
- PMIC - 穩壓器 - 線性 + 切換式 Richtek USA Inc 16-WFQFN 裸露焊盤 IC REG DL BCK/LINEAR SYNC 16WQFN
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS BIDIRECT 400W 24V 5% SMA
- 保險絲 Cooper Bussmann 徑向,盒式 FUSE 1.6A 250VAC RADIAL SLOW
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC OP AMP RRO 3.5MHZ LN SC70-5
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