91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線:13692101218  13751165337 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話:13692101218

當前位置:網站首頁 » 庫存索引194 » 型號"SI4850EY"的供應信息

SI4850EY 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

SI4850EY-T1詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

SI4850EY-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

SI4850EY-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)

SI4850EY-T1-E3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:Digi-Reel®

SI4850EY-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

SI4850EY-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:Digi-Reel®

SI4850EY供應商

查看更多SI4850EY的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載:service@51dzw.com   
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳):13751165337 13692101218 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功!
临澧县| 海阳市| 德清县| 濮阳市| 怀集县| 柘城县| 新河县| 白银市| 通江县| 中阳县| 安陆市| 奎屯市| 建湖县| 常熟市| 平武县| 阿图什市| 新兴县| 怀柔区| 永泰县| 城口县| 凤冈县| 绥阳县| 南宁市| 罗江县| 天全县| 昌乐县| 平江县| 望谟县| 常州市| 噶尔县| 登封市| 天气| 全州县| 华容县| 武安市| 赤水市| 博罗县| 平谷区| 祁阳县| 凤翔县| 锡林郭勒盟|