SI4936 全國供應商、價格、PDF資料

SI4936ADY-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 5.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4936ADY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 5.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4936BDY-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.9A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 5.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4936BDY-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.9A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 5.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4936BDY-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.9A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 5.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4936BDY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.9A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 5.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 15V

功率_最大：2.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• RNCS0603BKE22K1

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 1/16W 22.1K OHM 0.1% 0603

• SCH105R

  蜂鳴器    Mallory Sonalert Products Inc    18-SMD 模塊    AUD SIG DEVICE 1-5VDC PNL MNT

• SDK-SH7760-10-6416

  過時/停產零件編號    Logic        KIT DEV ZOOM STARTER FOR SH7760

• SI4932DY-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

• RNCF1206CTC1K18

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 1.18K OHM 1/8W 0.25% 1206

• RNF14BTE120R

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 120 OHM 1/4W .1% AXIAL

• ROV14E361K-S

  TVS - 變阻器，MOV    TE Connectivity    圓盤 14mm    VARISTOR 360V 14MM STRAIGHT LEAD

• RNF12FTD57K6

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 57.6K OHM 1/2W 1% AXIAL

• RNCS0603BKE22K1

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 1/16W 22.1K OHM 0.1% 0603

• SCH114-221

  固定式    Signal Transformer    非標準    INDUCTOR SMD 220UH 0.90A 100KHZ

• ROV14H101K-2

  TVS - 變阻器，MOV    TE Connectivity    圓盤 14mm    VARISTOR 100V 14MM RADIAL T/R

• RNF14BTE167K

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 167K OHM 1/4W .1% AXIAL

• RNCF1206CTE11K3

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 11.3K OHM 1/8W 0.25% 1206

• RNF12FTD57R6

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 57.6 OHM 1/2W 1% AXIAL

• RNCS0603BKE249K

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 1/16W 249K OHM 0.1% 0603