SI4965DY 全國供應商、價格、PDF資料

SI4965DY-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 P 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：8V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：-

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4965DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 P 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：8V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：-

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• STGB10NC60KT4

  IGBT - 單路    STMicroelectronics    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    IGBT N-CHAN 600V 10A D2PAK

• T95Z106K035CZSL

  鉭    Vishay Sprague    2910（7227 公制）    CAP TANT 10UF 35V 10% 2910

• T95V335M020CSAL

  鉭    Vishay Sprague    1410（3727 公制）    CAP TANT 3.3UF 20V 20% 1410

• TA45-ABDWMJ03C0

  斷路器    Schurter Inc        CIR BRKR THRM 300MA ROCKER

• TLV2462AQDREP

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP R-R 6.4MHZ 8SOIC

• SI4953ADY-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC

• TLC25L4BCNE4

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    14-DIP（0.300"，7.62mm）    IC OPAMP GP 110KHZ QUAD LN 14DIP

• T95Z106M035CSSL

  鉭    Vishay Sprague    2910（7227 公制）    CAP TANT 10UF 35V 20% 2910

• STGB14NC60KDT4

  IGBT - 單路    STMicroelectronics    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    IGBT N-CH 600V 25A D2PAK

• TA45-ABDWR035C0

  斷路器    Schurter Inc        CIR BRKR THRM 3.5A ROCKER 240VAC

• TLC25M2CDR

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP 635KHZ DUAL LP 8SOIC

• SI4966DY-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

• T95Z107K004EZSL

  鉭    Vishay Sprague    2910（7227 公制）    CAP TANT 100UF 4V 10% 2910

• T95V475M016EZAL

  鉭    Vishay Sprague    1410（3727 公制）    CAP TANT 4.7UF 16V 20% 1410

• STGB18N40LZT4

  IGBT - 單路    STMicroelectronics    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    IGBT 400V 30A D2PAK