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SI4966DY-T1 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI4966DY-T1-E3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:-
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 7.1A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

SI4966DY-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:-
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 7.1A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

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