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SI5424DC-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：6.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5424DC-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：6.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5424DC-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：6.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5424DC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：6.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5424DC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：6.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5424DC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：6.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

MS3106A22-1S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 2POS STRAIGHT W/SCKT
SR071C102KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 100V 10% RADIAL
SHIPLBL-026
標簽，標記 3M (TC) LABEL 3X4" BLK/RED ON WHT 500/PK
SG-51P 19.6608MC
振蕩器 EPSON 14-DIP，4 引線（全尺寸） OSCILLATOR 19.6608MHZ PDIP
SI5424DC-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
MS3106A22-23S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 8POS STRAIGHT W/SCKT
MS3100A36-14S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 16POS WALL MNT W/SCKT
SG-51P 3.0880MC
振蕩器 EPSON 14-DIP，4 引線（全尺寸） OSCILLATOR 3.0880MHZ PDIP
SHIPLBL-028
標簽，標記 3M (TC) LABEL 3X2" RED ON WHITE 500/PK
MS3106A22-23S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 8POS STRAIGHT W/SCKT
MS3100A36-15P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 35POS WALL MNT W/PINS
SR201E104MAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL
SHIPLBL-029
標簽，標記 3M (TC) LABEL 4X4" RED ON WHITE 500/PK
SG-51P 3.2768MC
振蕩器 EPSON 14-DIP，4 引線（全尺寸） OSCILLATOR 3.2768MHZ PDIP
SR071C103KAATR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 100V 10% RADIAL

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