SI5853CDC-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:104 毫歐 @ 2.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 8V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 10V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
- 包裝:帶卷 (TR)
SI5853DC-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 2.7A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
- 包裝:Digi-Reel®
SI5853DC-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 2.7A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
- 包裝:帶卷 (TR)
SI5853DC-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 2.7A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI5853DDC-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫歐 @ 2.9A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 8V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
- 包裝:帶卷 (TR)
SI5853DDC-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫歐 @ 2.9A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 8V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
- 包裝:Digi-Reel®
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 1.10K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模塊(6 引線) CONV DC/DC 2W 36-72VIN 12VOUT
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 430K OHM 1/4W 5% AXIAL
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR POWER SHIELD 100UH SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 6.04K OHM 1/8W 0.1% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 37POS PIN 36" WIRE
- DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模塊(6 引線) CONV DC/DC 2W 36-72VIN 12VOUT
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS PIN 3" YEL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 70.6K OHM 1/8W 0.1% 1206
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR POWER SHIELD 150UH SMD
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 56 OHM 5% AXIAL
- DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模塊(6 引線) CONV DC/DC 2W 36-72VIN +/-15VOUT
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